Money.plTechnologieNauka i wiedzaWnioski o dofinansowanie projektów badawczychKonkurs 12Badania własności strukturalnych niestechiometrycznego GaAs otrzymywanego metodą implantacji wysokoenergetycznych jonów As lub Ga
Konkurs 12

Badania własności strukturalnych niestechiometrycznego GaAs otrzymywanego metodą implantacji wysokoenergetycznych jonów As lub Ga

Numer wniosku: 8 T11B 033 12
Kierownik: prof.dr hab. Maria Kamińska
Instytucja realizująca: UNIWERSYTET WARSZAWSKI WYDZIAŁ FIZYKI
Typ projektu: promotorski
Dyscyplina naukowa: Elektroniki
Status: decyzja - zakwalifikowany
Dotacja rekomendowana przez Komisję: bd.
Dotacja przyznana przez Ministra: 16 900
Konkurs: 12