Najpopularniejszy w Polsce portal o finansach i biznesie
Money.plTechnologie dla biznesuNauka i wiedzaAparatura badawczaUrządzenie do epitaksji węglika krzemu(SiC)
Wyszukiwarka aparatury badawczej
  • od
  • do
  • od
  • do
Aparatura badawcza

Urządzenie do epitaksji węglika krzemu(SiC)

Zastosowanie: Zadaniem urządzenia do epitaksji SiC jest dystrybucja i regulacja ciśnień parcjanych prekursorów gazowych utrzymywanych w warunkach kontrolowanej temperatury, wprowadzenie ich do komory reakcyjnej, gdzie w warunkach obniżonego ciśnienia i wysokiej temperatury (pow.1000oC) na wirującej na poduszce wodorowej płytce następuje skomplikowany ciąg reakcji chemicznych, w wyniku których uzyskuje się kilkumikronowej grubości warstwy monokrystaliczne węglika krzemu. Funkcje systemu realizowane są w sposób automatyczny według przygotowanego wcześniej programu, który zawiera ogromny ładunek danych technologicznych. System umożliwia wzrost pojedynczych warstw atomowych związku półprzewodnikowego, co oznacza, że inercja przepływu gazów jest bliska zeru. Kontrola poprawności utrzymywania zadanych wartości przez elementy wykonawcze odbywa się automatycznie z częstotliwością nie większą niż 1 sekunda. Bardzo wysoka szczelność układu zrealizowana dzięki zastosowaniu najnowocześniejszych materiałów i rozwiązań inżynierskich gwarantuje maksymalne nieszczelności rzędu ppb (np. 1 cząsteczka tlenu z otoczenia na miliard cząsteczek gazu reakcyjnego). Urządzenie umożliwia także wytwarzanie mieszanek gazowych bezpośrednio przed wlotem do reaktora o stężeniach od ppb do %. Przy tak bogatej funkcjonalności system wyposażony jest w specjalny niezależny układ bezpieczeństwa zapobiegający przed skażeniem substancjami toksycznymi i wyciekiem gazów wybuchowych. System zbudowany jest w oparciu o regulatory masowe przepływu, ciśnienia, czujniki temperatury, zawory i zblocza zaworowe sterowane pneumatycznie. Wszystkie elementy i zespoły wykonawcze sterowane są automatycznie za pomocą układu elektronicznego i komputera centralnego. Specjalna komora załadowcza umożliwia obsługę bez kontaktu z otoczeniem co zabezpiecza wytwarzany materiał przed jakimkolwiek zanieczyszczeniem.
Urządzenie do epitaksji związków SiC metodą z fazy gazowej z zastosowaniem silanu i propanu składa się z czterech głównych bloków:
? sterowania automatycznego,
? układu gazowego,
? podwójnej komory reakcyjnej,
? układu próżniowego.
Częścią centralną urządzenia jest poziomy podwójny reaktor o tzw. gorących ścianach. Umieszczony jest on w cylindrycznej rurze kwarcowej. Płytka podłożowa o średnicy od 2 do 4 cali umieszczana jest na obrotowym stoliku grafitowym. Ruch stolika napędzany jest wodorem, który przepływając wytwarza poduszkę gazową i wprawia w ruch stolik w kształcie turbinki. Źródłem ciepła jest generator RF. Temperatura mierzona jest za pomocą pirometru.
Reaktor CVD do epitaksji SiC
Sterowanie procesem epitaksjalnego wzrostu odbywa się za pomocą komputera PC współpracującego z komputerem centralnym. Każdy proces przebiega według wcześniej zaprojektowanego programu, który jest przesyłany z komputera PC do centralnego. Komputer centralny odpowiada za poprawną realizację programu, umożliwia także, niezależnie od komputera PC, ingerencję w przebieg procesu w trakcie realizacji programu.
Układ sterowania prekursorami gazowymi wchodzący w skład urządzenia do epitaksji umożliwia wytwarzanie złożonych struktur epitaksjalnych zgodnie z najwyższymi światowymi wymaganiami dzięki utrzymywaniu i regulacji parcjanych ciśnień gazowych składników, odpowiednich wielkości przepływu, ciśnień par nasyconych, wydajności poduszki gazowej obracającej podłoże, stabilizacji ciśnienia w układzie reaktor-atmosfera, regulacji podciśnienia w reaktorze, kontroli temperatury źródeł metaloorganicznych, wytwarzania mieszanek gazowych z wodorem ? in-situ?, itp. Układ przystosowany jest do całkowicie zautomatyzowanej obsługi, przy jednoczesnej kontroli wartości wykonawczych z częstotliwością nie mniejszą niż 1 sekunda. Wiedza i doświadczenie zespołu badawczego znajduje zastosowanie przy programowaniu procedur krystalizacji struktur SiC.
Dane techniczne: Wyposażenie: system VP 508 GFR SiC CVD, drugi reaktor CVD dla
systemu VP GFR, system mieszania gazów, oczyszczalnik gazów.
Kategorie: urządzenia laboratoryjne termotechniczne, urządzenia i aparatura dla przemysłu półprzewodnikowego i mikroelektroniki, urządzenia do przeprowadzania procesów fizyko-chemicznych
Nazwa użytkownika: Urządzenie do epitaksji SiC.
Status: Zwefyfikowano
Producent:

Epigress AB Szwecja.

Model: CVD REACTOR
Rok produkcji: 2006
Instytucja: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Data utworzenia: 2009-12-14
Data modyfikacji: 2010-11-02
Nazwa labolatorium: ITME
Email do labolatorium: itme@itme.edu.pl
Telefon do labolatorium: 22/ 8353041
Nazwa komórki: Z-15.1

Baza patentów

Numer publikacji Kod Data publikacji PDF XML ZIP
EP 2637143 T3 31-12-2014 PDF XML ZIP
PL 102826 B1 30-04-1979 PDF XML ZIP
PL 120004 B2 27-02-1982 PDF XML ZIP
PL 59147 B1 29-12-1969 PDF XML ZIP
PL 66872 Y1 31-12-2013 PDF XML ZIP